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lpcvd pecvd比較
低壓化學氣相沉積(Low-pressureCVD,LPCVD):在低壓環境下的CVD製程。降低...電漿增強化學氣相沉積法(Plasma-EnhancedCVD,PECVD):利用電漿增加前驅物的反應速率。,2007年5月21日—與APCVD系統相比較,LPCVD系統的主要優點在於具有優異的薄膜均勻度,以及較佳的...
矽晶太陽電池之多晶矽鈍化層技術發展現況與趨勢分析
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從ITRPV2021多晶矽不同沉積技術.趨勢預測結果(如圖2所示)可發現LPCVD是現在主流技術,但PECVD將會穩定成⾧,.市占率在2023年後有望超越LPCVD。主要原因在於LPCVD沉積 ...
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